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Q67040-S4140-A2

产品描述SIPMOS Power Transistor
文件大小114KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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Q67040-S4140-A2概述

SIPMOS Power Transistor

Q67040-S4140-A2相似产品对比

Q67040-S4140-A2 SPD28N03 SPU28N03
描述 SIPMOS Power Transistor SIPMOS Power Transistor SIPMOS Power Transistor
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
厂商名称 - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) - 145 mJ 145 mJ
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 28 A 28 A
最大漏极电流 (ID) - 28 A 28 A
最大漏源导通电阻 - 0.023 Ω 0.023 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 - e0 e0
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 3
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 175 °C 175 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 75 W 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 112 A 112 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES NO
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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