PT7M8220B
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700mA LDO Regulator
Features
Output Current 700mA or more
Dropout Voltage: 150mV@300mA
Operating Voltage Range: 1.8V-5.5V
Output Voltage Range: 1.2V to 3.3V (100 mV Step)
Low Power Consumption: 80A
Standby Current: 0.1µ
A
High Ripple Rejection: 70dB@1kHz
Output Current-Limit Protection
Thermal Shutdown Protection
Operating Temperature Range: -40℃~+85℃
Low ESR Capacitor Compatible: Ceramic Capacitor
Lead Free and Green Package: SOT23-5L, SOT89-
3L and SOT89-5L
Description
The PT7M8220B series are highly accurate, low dropout
voltage regulators with high current, low noise, high
ripple rejection and low current consumption.
The PT7M8220B includes a reference voltage source, an
error amplifier, a driver transistor, a current limit
protection, a thermal protection and an internal phase
compensator.
The output voltage for the regulator is set by factory
trimming within a range of 1.2V to 3.3V in 100mV step
including 2.85V. The PT7M8220B series are stable with
low ESR ceramic capacitors.
Applications
Mobile phones (PDC, GSM, CDMA, IMT2000 etc.)
Cordless phones and radio communication
Digital still cameras and video cameras
PDAs
MP3 players
Portable devices
Pin Assignment
VIN
GND
EN
1
2
3
SOT23-5L
GND
VIN
VOUT
1
2
3
SOT89-3L
4
NC
5
VOUT
EN
GND
NC
1
2
3
SOT89-5L
4
VIN
5
VOUT
Pin Description
Pin No for
SOT23-5L
1
2
3
4
5
Pin No for
SOT89-5L
4
2
1
3
5
Pin No for
SOT89-3L
2
1
-
-
3
I/O
I
P
I
-
O
Name
VIN
GND
EN
NC
VOUT
Descriptions
Regulator Supply Input. Supply voltage can range from 1.8V to
5.5V. Bypass with a
1F
ceramic capacitor (X5R/X7R) to GND.
Ground.
ON/OFF Control of Regulator. High active. No any pull-up/pull-
down resistors internal.
No Connection.
Output of Regulator. Bypass with a
1F
ceramic capacitor
(X5R/X7R) to GND.
2013-04-0005
1
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PT7M8220B
700mA LDO Regulator
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Maximum Ratings
Storage Temperature………………………………….. -55℃ to +125℃
Ambient Temperature with Power Applied......................-40℃ to +85℃
Input Voltage………………………………………….……..……+6.0V
Output Voltage …………………………………….....-0.3 to V
CC
+0.3V
EN pin Voltage…………………………………………………… +6.0V
DC Input/Output Current ………………………………………..700mA
Power Dissipation……………………………………….SOT23/400mW
SOT89/550mW
UDFN/600mW
Note:
Stresses greater than those listed under MAXIMUM
RATINGS may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sec-
tions of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
Recommended Operating Conditions
Symbol
V
CC
T
A
Parameter
Operating Voltage
Operating temperature
Min.
1.8
-40
Typ.
-
25
Max.
5.5
85
Unit
V
°
C
Electrical Characteristics
(T
A
=25℃)
Parameter
Output Voltage
Maximum Output
Current
Symbol
V
OUT(E) *2
I
OUTMAX
Conditions
V
IN
=V
OUT(S) *1
+1.0V, I
OUT
=30mA
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V, V
OUT(E)
>=1.6V
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V, V
OUT(E)
<=1.5V
1.2V≤V
OUT(S)
≤1.4V
1.5V≤V
OUT(S)
≤1.9V
I
OUT
=150mV
2.0V≤V
OUT(S)
≤2.4V
@ 300mA
2.5V≤V
OUT(S)
≤2.9V
3.0V≤V
OUT(S)
≤3.3V
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V, no load
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
EN=OFF
V
OUT(S)
+1.0V≤V
IN
≤5.5V
I
OUT
=30mA
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V,
1.0mA≤I
OUT
≤300mA
-
I
OUT
=30mA
-40℃≤T
A
≤85℃
V
IN
=[V
OUT(S)
+1.0]V
DC
+1Vp-p AC
I
OUT
=30mA, f=1kHz
V
OUT
= V
OUT(S)
*0.9
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V, EN=ON
-
-
-
-
V
IN
=V
OUT(S)
+1.0V
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
V
IN
= V
OUT(S)
+1.0V
EN=Low
Min.
V
OUT(S)
*0.98
700
500
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
-
-
700
-
Typ.
V
OUT(S)
-
-
0.30
0.27
0.24
0.18
0.15
Dropout Voltage
Vdif
*3
Supply Current
Standby Current
Line Regulation
Load Regulation
Input Voltage
Output Voltage
Temperature
Characteristic
Ripple Rejection
Current Limit
Short-Circuit Limit
Thermal Shutdown
Thermal Shutdown
Hysteresis
EN “High”
Voltage
EN “Low” Voltage
EN “High” Current
EN “Low” Current
Output Discharge
Resistance
I
SS
I
SB
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
*V
OUT
ΔV
OUT2
V
IN
ΔV
OUT
/
ΔTopr*V
OUT
PSRR
I
LIM
I
SHORT
TSD
ΔTSD
V
ENH
V
ENL
I
ENH
I
ENL
Rdis
80
0.1
0.05
-
-
+/-100
70
900
150
170
40
-
-
-
-
1
Max.
V
OUT(S)
*1.02
-
-
0.45
0.41
0.36
0.27
0.23
100
1
0.2
0.6
5.5
-
-
-
-
-
-
-
0.3
0.10
0.10
-
Unit
V
mA
V
µA
A
%/V
mV
V
ppm/℃
dB
mA
mA
℃
-
-
1.5
-
-0.10
-0.10
-
V
µA
kΩ
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700mA LDO Regulator
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Note:
*1: V
OUT(S)
=Specified output voltage.
*2: V
OUT(E)
=Effective output voltage.
(I.e. the output voltage when "V
OUT(S)
+1.0V" is provided at the VIN pin while maintaining a certain I
OUT
value).
*3: Vdif={V
IN1(*5)
-V
OUT1(*4)
}.
*4: V
OUT1
=A voltage equal to 98% of the output voltage whenever an amply stabilized I
OUT
{V
OUT(S)
+1.0V} is input.
*5: V
IN1
=The input voltage when V
OUT1
appears as input voltage is gradually decreased.
*6: Unless otherwise stated, V
IN
=V
OUT(S)
+ 1.0V
Application Circuit
PT7M8220B
Power
supply
VIN
C
IN
VOUT
C
OUT
GND
LOAD
EN
Logic
Input
Typical Performance and Characteristics
1. Output Voltage vs. Output Current
PT7M8220B (1.2V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.30
1.26
PT7M8220B (3.3V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
3.50
Vin=4.5V
3.44
Vin=5.5V
Vo (V)
1.18
1.14
1.10
0
200
400
Vo (V)
800
1000
1.22
Vin=2.5V
Vin=4.5V
Vin=5.5V
3.38
3.32
3.26
3.20
600
0
200
400
600
800
1000
Io (mA)
Io (mA)
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700mA LDO Regulator
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2. Output Voltage vs. Input Voltage
PT7M8220B (1.2V)
Topr=25℃
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
2.0
4.0
PT7M8220B (3.3V)
Topr=25℃
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.5
3.0
Vo (V)
1.0
0mA
30mA
100mA
Vo (V)
2.0
0mA
30mA
100mA
0.5
1.0
0.0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
0.0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
3. Supply Current vs. Input Voltage
PT7M8220B (1.2V)
100
80
Iss (μA)
PT7M8220B (3.3V)
120
100
80
Iss (μA)
60
40
20
0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
60
40
20
0
1.5
2.5
3.5
Vin (V)
4.5
5.5
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700mA LDO Regulator
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4. Dropout Voltage vs. Output Current
PT7M8220B (3.3V)
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
300
-40℃
25℃
85℃
5. Line Transient Response
PT7M8220B (3.3V)
Cin=Cout=1µF(Ceramics), Iout=100mA, tr=tf=5µs
Time (100µs/Div)
Vdif (mV)
200
100
0
0
100
200
Io (mA)
300
400
6. Output Voltage vs. Ambient Temperature
PT7M8220B (1.2V)
Vin=2.2V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
2.0
5
PT7M8220B (3.3V)
Vin=4.3V
Cin=1µF(Ceramics), Cout=1µF(Ceramics)
1.5
4
Vo (V)
1.0
Vo (V)
-50
-25
0
25
50
T emperature (℃)
75
100
3
0.5
2
0.0
1
-50
-25
0
25
50
T emperature (℃)
75
100
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综合技术交流
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