MT42L256M16D1LM-18AIT:A,MT42L256M16D1LM-18AIT:A pdf中文资料,MT42L256M16D1LM-18AIT:A引脚图,MT42L256M16D1LM-18AIT:A电路-Datasheet-电子工程世界

MT42L256M16D1LM-18AIT:A: 产品描述DDR DRAM,; 文件大小13MB，共169页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT42L256M16D1LM-18AIT:A概述

DDR DRAM,

参数名称	属性值
Objectid	1361478953
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性	SELF REFRESH; ALSO REQURIES 1.8V NOMINAL SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)	533 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8,16
JESD-30 代码	S-PBGA-B216
长度	12 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	LPDDR2 DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	216
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA216,29X29,16
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8,16
最大压摆率	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.3 V
最小供电电压 (Vsup)	1.14 V
标称供电电压 (Vsup)	1.2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	0.4 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	12 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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