IDT72220L25TPG,IDT72220L25TPG pdf中文资料,IDT72220L25TPG引脚图,IDT72220L25TPG电路-Datasheet-电子工程世界

IDT72220L25TPG: 产品描述FIFO, 1KX8, 15ns, Synchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小95KB，共11页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT72220L25TPG概述

FIFO, 1KX8, 15ns, Synchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.3
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	15 ns
最大时钟频率 (fCLK)	40 MHz
周期时间	25 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e3
长度	34.671 mm
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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