Configuration Memory, 1MX1, 45ns, Parallel, CMOS, PQCC20, PLASTIC, LCC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-20 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| 其他特性 | SERIAL MODE ALSO AVAILABLE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 15 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.9662 mm |
| 内存密度 | 1048576 bi |
| 内存集成电路类型 | CONFIGURATION MEMORY |
| 内存宽度 | 1 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC20,.4SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 8.9662 mm |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
