Rectifier Diode, 1 Element, 0.11A, Silicon, DO-34
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
| JEDEC-95代码 | DO-34 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 0.4 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最大输出电流 | 0.11 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 最大功率耗散 | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大反向电流 | 0.5 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.003 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| Base Number Matches | 1 |
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