电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

R1QBA7218ABG-20IA

产品描述DDR SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小885KB,共39页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 全文预览

R1QBA7218ABG-20IA概述

DDR SRAM

R1QBA7218ABG-20IA规格参数

参数名称属性值
Objectid1292990404
包装说明LBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度15 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 94  334  681  951  1152 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved