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R1QBA4436RBG-19IA

产品描述DDR SRAM
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文件大小497KB,共37页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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R1QBA4436RBG-19IA概述

DDR SRAM

R1QBA4436RBG-19IA规格参数

参数名称属性值
Objectid1292890480
包装说明LBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
YTEOL7.8
最长访问时间0.45 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度15 mm

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