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SMBZ5926B-M3/5B

产品描述diode zenr 550mw 11v 2% do214aa
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小109KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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SMBZ5926B-M3/5B概述

diode zenr 550mw 11v 2% do214aa

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SMBZ5919B thru SMBZ5945B
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount Power Voltage-Regulating Diodes
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Low Zener impedance
• Low regulation factor
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, if maximum peak of
260 °C
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DO-214AA (SMBJ)
TYPICAL APPLICATIONS
For general purpose regulation and protection applications.
MECHANICAL DATA
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
Z
P
tot
at T
L
= 75 °C
P
tot
at T
A
= 25 °C
T
J
max.
V
Z
specification
Int. construction
5.6 V to 68 V
3000 mW
550 mW
150 °C
Pulse current
Single
Case:
DO-214AA (SMBJ)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum steady state power dissipation at T
L
= 75 °C (fig. 1)
Maximum steady state power dissipation at T
A
= 25 °C (fig. 1)
Maximum instantaneous forward voltage at 200 mA for all types
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
Mounted on minimum recommended pad layout
(2)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
SYMBOL
P
tot
P
tot (1)
V
F (2)
T
J
, T
STG
VALUE
3000
550
1.5
- 55 to + 150
UNIT
mW
V
°C
Revision: 25-May-12
Document Number: 89418
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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