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BZG03C30TR3

产品描述diode zener 1.25w 30v do214ac
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小82KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BZG03C30TR3概述

diode zener 1.25w 30v do214ac

BZG03C30TR3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-214
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-214
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.25 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压30 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差6.67%

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BZG03C-Series
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Zener Diodes
FEATURES
• High reliability
• Voltage range 10 V to 270 V
• Fits onto 5 mm SMD footpads
• Wave and reflow solderable
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
PRIMARY CHARACTERISTICS
PARAMETER
V
Z
range nom.
Test current I
ZT
V
BR
V
WM
P
PPM
T
J
max.
V
Z
specification
Int. construction
Polarity
VALUE
10 to 270
2 to 50
9.4 to 251
8.2 to 220
300
150
Pulse current
Single
Uni-directional
UNIT
V
mA
V
V
W
°C
APPLICATIONS
• Voltage stabilization
ORDERING INFORMATION
DEVICE NAME
BZG03C-series
BZG03C-series
ORDERING CODE
BZG03C-series-TR
BZG03C-series-TR3
TAPED UNITS PER REEL
1500 (7" reel)
6000 (13" reel)
6000/box
MINIMUM ORDER QUANTITY
PACKAGE
PACKAGE NAME
DO-214AC
WEIGHT
77 mg
MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY
FLAMMABILITY RATING
LEVEL
UL 94 V-0
MSL level 1
(according J-STD-020)
SOLDERING
CONDITIONS
260 °C/10 s at terminals
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Power dissipation
Non repetitive peak surge power
dissipation
Junction to lead
Mounted on epoxy-glass hard
tissue, fig. 1b
Junction to ambient air
Mounted on epoxy-glass hard tissue, fig. 1b
Mounted on Al-oxid-ceramic
(Al
2
O
3
), fig. 1b
Junction temperature
Storage temperature range
Forward voltage (max.)
I
F
= 0.5 A
TEST CONDITION
R
thJA
< 25 K/W, T
amb
= 100 °C
R
thJA
< 100 K/W, T
amb
= 50 °C
t
p
= 100 μs sq.pulse, T
j
= 25 °C
prior to surge
SYMBOL
P
tot
P
tot
P
ZSM
R
thJL
R
thJA
R
thJA
R
thJA
T
j
T
stg
V
F
VALUE
3000
1250
600
25
150
125
100
150
-65 to +150
1.2
UNIT
mW
mW
W
K/W
K/W
K/W
K/W
°C
°C
V
Rev. 2.0, 23-Apr-14
Document Number: 85593
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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