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70V25TS25G

产品描述Multi-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, CPGA84
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文件大小211KB,共25页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70V25TS25G概述

Multi-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, CPGA84

70V25TS25G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1124630157
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XPGA-P84
JESD-609代码e0
内存密度131072 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度16
端口数量2
端子数量84
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码PGA
封装等效代码PGA84M,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.19 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR

 
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