DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | FBGA, BGA78,9X13,32 |
Reach Compliance Code | compliant |
最长访问时间 | 0.3 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 533 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B78 |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 78 |
字数 | 268435456 words |
字数代码 | 256000000 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA78,9X13,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源 | 1.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
连续突发长度 | 8 |
最大待机电流 | 0.012 A |
最大压摆率 | 0.105 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
Base Number Matches | 1 |
K4B2G0846D-HCF80 | K4B2G0446D-HCF80 | |
---|---|---|
描述 | DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78 | DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | FBGA, BGA78,9X13,32 | FBGA, BGA78,9X13,32 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
最长访问时间 | 0.3 ns | 0.3 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 533 MHz | 533 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
交错的突发长度 | 8 | 8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B78 |
内存密度 | 2147483648 bit | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 | 4 |
端子数量 | 78 | 78 |
字数 | 268435456 words | 536870912 words |
字数代码 | 256000000 | 512000000 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
组织 | 256MX8 | 512MX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA | FBGA |
封装等效代码 | BGA78,9X13,32 | BGA78,9X13,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源 | 1.5 V | 1.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 |
连续突发长度 | 8 | 8 |
最大待机电流 | 0.012 A | 0.012 A |
最大压摆率 | 0.105 mA | 0.105 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V | 1.5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | OTHER | OTHER |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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