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K4B2G0846D-HCF80

产品描述DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共64页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4B2G0846D-HCF80概述

DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78

K4B2G0846D-HCF80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.3 ns
最大时钟频率 (fCLK)533 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度8
JESD-30 代码R-PBGA-B78
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
端子数量78
字数268435456 words
字数代码256000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA78,9X13,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度8
最大待机电流0.012 A
最大压摆率0.105 mA
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

K4B2G0846D-HCF80相似产品对比

K4B2G0846D-HCF80 K4B2G0446D-HCF80
描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78 DDR DRAM, 512MX4, 0.3ns, CMOS, PBGA78,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 FBGA, BGA78,9X13,32 FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code compliant compliant
最长访问时间 0.3 ns 0.3 ns
最大时钟频率 (fCLK) 533 MHz 533 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
交错的突发长度 8 8
JESD-30 代码 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 4
端子数量 78 78
字数 268435456 words 536870912 words
字数代码 256000000 512000000
最高工作温度 85 °C 85 °C
组织 256MX8 512MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA
封装等效代码 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 1.5 V 1.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
连续突发长度 8 8
最大待机电流 0.012 A 0.012 A
最大压摆率 0.105 mA 0.105 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
Base Number Matches 1 1
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