Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT70V3569S4BF8

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IDT70V3569S4BF8: 产品描述Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208; 产品类别存储存储; 文件大小172KB，共17页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70V3569S4BF8概述

Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208

IDT70V3569S4BF8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA208,17X17,32
针数	208
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	4.2 ns
其他特性	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	589824 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	208
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.46 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	15 mm
Base Number Matches	1

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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36

SYNCHRONOUS PIPELINED

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

◆

IDT70V3569S

◆

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed clock to data access

– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)

– Industrial: 5ns (max)

Pipelined output mode

Counter enable and reset features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)

– Fast 4.2ns clock to data out

– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and

address inputs @ 133MHz

◆

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timed write allows fast cycle time

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for

core

LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)

power supply for I/Os and control signals on each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available for selected speeds

Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),

208-ball fine-pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball

Grid Array

Green parts availble, see ordering instructions

Functional Block Diagram

R/W

B B

3 3

L R

2 1

R/W

Dout0-8_L

Dout9-17_L

Dout18-26_L

Dout27-35_L

Dout0-8_R

Dout9-17_R

Dout18-26_R

Dout27-35_R

16K x 36

MEMORY

ARRAY

I/O

- I/O

35L

Din_L

Din_R

I/O

- I/O

35R

CLK

13L

CNTRST

ADS

CNTEN

CLK

Counter/

Address

Reg.

13R

ADDR_L

ADDR_R

Counter/

Address

Reg.

CNTRST

ADS

CNTEN

4831 tbl 01

OCTOBER 2008

DSC 4831/12

IDT70V3569S4BF8相似产品对比

	IDT70V3569S4BF8	IDT70V3569S4BF	IDT70V3569S4BC8	IDT70V3569S4BFG8	IDT70V3569S6BF8	IDT70V3569S4BFG	IDT70V3569S4BC	IDT70V3569S6BF	IDT70V3569S6BFG	IDT70V3569S6DR
描述	Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208	Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208	Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208	Dual-Port SRAM, 16KX36, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208	Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, CBGA208, 15 X 15 MM X 1.4 MM, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208	Dual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA256, BGA-256	Dual-Port SRAM, 16KX36, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208	Dual-Port SRAM, 16KX36, 6ns, CMOS, CBGA208, 15 X 15 MM X 1.4 MM, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208	Dual-Port SRAM, 16KX36, 6ns, CMOS, PQFP208, PLASTIC, QFP-208
是否无铅	含铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	QFP
包装说明	TFBGA, BGA208,17X17,32	TFBGA, BGA208,17X17,32	LBGA, BGA256,16X16,40	TFBGA, BGA208,17X17,32	TFBGA, BGA208,17X17,32	LFBGA, BGA208,17X17,32	LBGA, BGA256,16X16,40	TFBGA, BGA208,17X17,32	LFBGA, BGA208,17X17,32	FQFP, QFP208,1.2SQ,20
针数	208	208	256	208	208	208	256	208	208	208
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	4.2 ns	6 ns	4.2 ns	4.2 ns	6 ns	6 ns	6 ns
其他特性	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE	PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	83 MHz	133 MHz	133 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208	S-PBGA-B208	S-PBGA-B256	S-PBGA-B208	S-PBGA-B208	S-CBGA-B208	S-PBGA-B256	S-PBGA-B208	S-CBGA-B208	S-PQFP-G208
JESD-609代码	e0	e0	e0	e1	e0	e1	e0	e0	e1	e0
长度	15 mm	15 mm	17 mm	15 mm	15 mm	15 mm	17 mm	15 mm	15 mm	28 mm
内存密度	589824 bit	589824 bit	589824 bit	589824 bit	589824 bit	589824 bit	589824 bit	589824 bit	589824 bit	589824 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	208	208	256	208	208	208	256	208	208	208
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16KX36	16KX36	16KX36	16KX36	16KX36	16KX36	16KX36	16KX36	16KX36	16KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	LBGA	TFBGA	TFBGA	LFBGA	LBGA	TFBGA	LFBGA	FQFP
封装等效代码	BGA208,17X17,32	BGA208,17X17,32	BGA256,16X16,40	BGA208,17X17,32	BGA208,17X17,32	BGA208,17X17,32	BGA256,16X16,40	BGA208,17X17,32	BGA208,17X17,32	QFP208,1.2SQ,20
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	260	225	260	225	225	260	225
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.5 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.7 mm	1.5 mm	1.2 mm	1.7 mm	4.1 mm
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最小待机电流	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
最大压摆率	0.46 mA	0.46 mA	0.46 mA	0.46 mA	0.31 mA	0.46 mA	0.46 mA	0.31 mA	0.31 mA	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	1 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	1 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	30	20	30	20	20	30	20
宽度	15 mm	15 mm	17 mm	15 mm	15 mm	15 mm	17 mm	15 mm	15 mm	28 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-	-

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盖茨曾否决电子书阅读器：称触摸屏比不上键盘

盖茨曾否决电子书阅读器　　盖茨否决这种产品的原因在于，他当时认为未来的成功在于键盘而非触摸屏，后者永远也无法赶上键盘。　　新浪科技讯北京时间7月5日凌晨消息，微软(微博)工程师在1998年曾向比尔·盖茨(Bill Gates)展示了一款电子书阅读器，这本来会让盖茨变得更加富有；但这位微软创始人否决了这种触摸屏电子书阅读器，他向该工程师表示，忘了这种“无关紧要的”设备吧。　　盖...[详细]

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