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TLE2161IDG4

产品描述JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共33页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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TLE2161IDG4概述

JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC

TLE2161IDG4规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.004 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.000003 µA
最小共模抑制比65 dB
标称共模抑制比82 dB
频率补偿YES (AVCL>=5)
最大输入失调电流 (IIO)0.002 µA
最大输入失调电压4400 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限-19 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-3.5/+-18/7/36 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率5 V/us
标称压摆率10 V/us
最大压摆率0.35 mA
供电电压上限19 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽5800 kHz
最小电压增益500
宽带NO
宽度3.9 mm

TLE2161IDG4相似产品对比

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描述 JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC JFET-Input High-Output-Drive Low-Power Decompensated Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 1 week 6 weeks 1 week
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.004 µA 0.005 µA 0.004 µA 0.002 µA
标称共模抑制比 82 dB 65 dB 82 dB 82 dB
频率补偿 YES (AVCL>=5) YES (AVCL>=5) YES (AVCL>=5) YES (AVCL>=5)
最大输入失调电压 4400 µV 4300 µV 4400 µV 4000 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES YES YES
低-失调 NO NO NO NO
微功率 YES YES YES YES
湿度敏感等级 1 1 1 1
负供电电压上限 -19 V -19 V -19 V -19 V
标称负供电电压 (Vsup) -5 V -15 V -5 V -5 V
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TR TR TUBE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 +-3.5/+-18/7/36 V +-3.5/+-18/7/36 V +-3.5/+-18/7/36 V +-3.5/+-18/7/36 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm
最小摆率 5 V/us 5 V/us 5 V/us 5 V/us
标称压摆率 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us
最大压摆率 0.35 mA 0.35 mA 0.35 mA 0.375 mA
供电电压上限 19 V 19 V 19 V 19 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 15 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 5800 kHz 5600 kHz 5800 kHz 5800 kHz
最小电压增益 500 500 500 250
宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.000003 µA 0.000003 µA 0.000003 µA -
最小共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB -
最大输入失调电流 (IIO) 0.002 µA 0.002 µA 0.002 µA -
功率 NO NO NO -
可编程功率 NO NO NO -
宽带 NO NO NO -
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