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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> SST38VF6404-90-5I-EKE
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SST38VF6404-90-5I-EKE

产品描述flash 2.7 to 3.6V 64mbit parallel adv mpf+
产品类别存储    存储   
文件大小7MB，共66页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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SST38VF6404-90-5I-EKE在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SST38VF6404-90-5I-EKE概述

flash 2.7 to 3.6V 64mbit parallel adv mpf+

SST38VF6404-90-5I-EKE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
Factory Lead Time5 weeks
最长访问时间90 ns
其他特性TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1K
端子数量48
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模4K
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1

SST38VF6404-90-5I-EKE相似产品对比

SST38VF6404-90-5I-EKE SST38VF6402-90-5I-B3KE-T SST38VF6403-90-5I-B3KE SST38VF6404-90-5I-B3KE
描述 flash 2.7 to 3.6V 64mbit parallel adv mpf+ flash 2.7 to 3.6V 64mbit parallel adv mpf+ flash 2.7 to 3.6V 64mbit parallel adv mpf+ flash 2.7 to 3.6V 64mbit parallel adv mpf+
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 TSOP1, TSSOP48,.8,20 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, TFBGA-48 TFBGA, BGA48,6X8,32 TFBGA, BGA48,6X8,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
Factory Lead Time 5 weeks 7 weeks 16 weeks 17 weeks
最长访问时间 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns
其他特性 TOP BOOT BLOCK TOP BOOT BLOCK BOTTOM BOOT BLOCK TOP BOOT BLOCK
启动块 TOP TOP BOTTOM TOP
命令用户界面 YES YES YES YES
通用闪存接口 YES YES YES YES
数据轮询 YES YES YES YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e3 e1 e1 e1
长度 18.4 mm 8 mm 8 mm 8 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 16 16 16
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
部门数/规模 1K 1K 1K 1K
端子数量 48 48 48 48
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 TSSOP48,.8,20 BGA48,6X8,32 BGA48,6X8,32 BGA48,6X8,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小 4 words 4 words 4 words 4 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260
电源 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
编程电压 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES YES
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 4K 4K 4K 4K
最大待机电流 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING BALL BALL BALL
端子节距 0.5 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40
切换位 YES YES YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 12 mm 6 mm 6 mm 6 mm
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
零件包装代码 TSOP1 - BGA BGA
针数 48 - 48 48
ECCN代码 3A991.B.1.A - 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
Base Number Matches 1 - 1 1

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