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74AUP1G00GM,115

产品描述logic gates 1.8V single 2-input
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小338KB,共21页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G00GM,115概述

logic gates 1.8V single 2-input

74AUP1G00GM,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明VSON, SOLCC6,.04,20
针数6
制造商包装代码SOT886
Reach Compliance Codecompliant
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.45 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.0017 A
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数2
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC6,.04,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup24.9 ns
传播延迟(tpd)24.9 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1 mm
Base Number Matches1

74AUP1G00GM,115相似产品对比

74AUP1G00GM,115 74AUP1G00GM,132 74AUP1G00GS,132
描述 logic gates 1.8V single 2-input logic gates 2.5/3.3V 20-bit logic gates nand 4.6 V 20 mA
Brand Name NXP Semiconductor NXP Semiconductor NXP Semiconductor
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 VSON, SOLCC6,.04,20 VSON, SOLCC6,.04,20 1 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1202, SON-6
制造商包装代码 SOT886 SOT886 SOT1202
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
Base Number Matches 1 1 1
零件包装代码 SON SON -
针数 6 6 -
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V -
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 R-PDSO-N6 -
JESD-609代码 e3 e3 -
长度 1.45 mm 1.45 mm -
负载电容(CL) 30 pF 30 pF -
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE -
最大I(ol) 0.0017 A 0.0017 A -
湿度敏感等级 1 1 -
功能数量 1 1 -
输入次数 2 2 -
端子数量 6 6 -
最高工作温度 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 VSON VSON -
封装等效代码 SOLCC6,.04,20 SOLCC6,.04,20 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE -
包装方法 TAPE AND REEL TAPE AND REEL -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 -
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V -
Prop。Delay @ Nom-Sup 24.9 ns 24.9 ns -
传播延迟(tpd) 24.9 ns 24.9 ns -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
施密特触发器 NO NO -
座面最大高度 0.5 mm 0.5 mm -
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V -
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V -
表面贴装 YES YES -
技术 CMOS CMOS -
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE -
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) -
端子形式 NO LEAD NO LEAD -
端子节距 0.5 mm 0.5 mm -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 -
宽度 1 mm 1 mm -

 
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