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GBU404C2G

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 400V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC, GBU, 4 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小215KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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GBU404C2G概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 400V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC, GBU, 4 PIN

GBU404C2G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压400 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流175 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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GBU401 thru GBU407
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
- Ideal for printed circuit board
- High case dielectric strength of 1500 VRMS
- High surge current capability
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
GBU
MECHANICAL DATA
Case:
GBU
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Polarity:
As marked
Weight:
4 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current,
8.3 ms single half sine-wave
Peak forward surge current,
1.0 ms single half sine-wave
Rating of fusing ( t<8.3ms)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
I
F
= 2 A
I
F
= 4 A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
T
J
= 25℃
T
J
= 125℃
T
J
= 25℃
T
J
= 125℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
FSM
I
2
t
V
F
GBU
401
50
35
50
GBU
402
100
70
100
GBU
403
200
140
200
GBU
404
400
280
400
4
150
80
280
260
93
1.0
1.1
5
500
100
4
20
- 55 to +150
- 55 to +150
45
O
GBU
405
600
420
600
GBU
406
800
560
800
GBU
407
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
2
s
V
I
R
Cj
R
θjC
R
θjA
T
J
T
STG
μA
pF
C/W
O
O
Typical junction capacitance per leg (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C
C
Note 2: Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4.0V DC
Document Number: DS_D1308034
Version: H13
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