Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 |
针数 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 240 mJ |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 5.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.36 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N15 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 15 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 22 A |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500/601 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
JANSH2N7262U | JANSF2N7262U | JANSG2N7262U | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
零件包装代码 | LCC | LCC | LCC |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 | CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 | CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 |
针数 | 18 | 18 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 240 mJ | 240 mJ | 240 mJ |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 5.5 A | 5.5 A | 5.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.36 Ω | 0.36 Ω | 0.36 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N15 | R-CQCC-N15 | R-CQCC-N15 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 15 | 15 | 15 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 22 A | 22 A | 22 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500/601 | MIL-19500/601 | MIL-19500/601 |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | - |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
其他特性 | - | RADIATION HARDENED | RADIATION HARDENED |
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