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GT40M101

产品描述N channel igbt (high power switching applications)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小226KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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GT40M101概述

N channel igbt (high power switching applications)

GT40M101规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压900 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)400 ns
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压25 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值90 W
最大功率耗散 (Abs)90 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)600 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max3.7 V

 
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