schottky barrier diodes
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.39 V |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 40 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| BYV10-40 | BYV10-30 | BYV10 | BYV10-20 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | schottky barrier diodes | schottky barrier diodes | schottky barrier diodes | schottky barrier diodes |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | - | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | - | O-LALF-W2 |
| 针数 | 2 | 2 | - | 2 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | - | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.39 V | 0.39 V | - | 0.39 V |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | - | O-LALF-W2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | - | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - | 125 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | - | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1 A | 1 A | - | 1 A |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS | - | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | - | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | - | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 40 V | 30 V | - | 20 V |
| 表面贴装 | NO | NO | - | NO |
| 技术 | SCHOTTKY | SCHOTTKY | - | SCHOTTKY |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | - | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL | - | AXIAL |
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