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BD539

产品描述npn silicon power transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小85KB,共6页
制造商Power Innovations Limited
官网地址http://www.power-innovations.com
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BD539概述

npn silicon power transistors

BD539规格参数

参数名称属性值
厂商名称Power Innovations Limited
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)12
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BD539相似产品对比

BD539 BD539B BD539C BD539D BD539A
描述 npn silicon power transistors npn silicon power transistors npn silicon power transistors npn silicon power transistors npn silicon power transistors
厂商名称 Power Innovations Limited Power Innovations Limited Power Innovations Limited Power Innovations Limited Power Innovations Limited
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 40 V 80 V 100 V 120 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 12 12 12 12 12
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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