pnp medium power transistors
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.83 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 145 MHz |
| VCEsat-Max | 0.5 V |
| Base Number Matches | 1 |
| BC638-16 | BC636-16 | BC636-10 | BC638 | BC640-16 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | pnp medium power transistors | pnp medium power transistors | pnp medium power transistors | 双极小信号 trans GP bulk dlt | pnp medium power transistors |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | PLASTIC, SC-43A, SOT-54, 3 PIN | , | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | unknown | compliant |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | Single | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 | 63 | 40 | 63 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP | PNP |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 不符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | - | TO-92 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | - | 3 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| Is Samacsys | N | - | N | N | - |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V | 45 V | 45 V | - | 80 V |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | - | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | - | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e3 | - | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | - | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | - | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.83 W | - | 0.83 W | 0.8 W | 0.83 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | AMPLIFIER | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 145 MHz | 100 MHz | 145 MHz | - | 145 MHz |
| VCEsat-Max | 0.5 V | 0.5 V | 0.5 V | - | 0.5 V |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 | 1 | - |
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