Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BCX51-10

文档预览

BCX51-10: 产品描述pnp medium power transistors; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小103KB，共2页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

BCX51-10概述

pnp medium power transistors

BCX51-10规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOT-89
包装说明	PLASTIC, SC-62, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	45 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	63
JEDEC-95代码	TO-243
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

BCX51

BCX52

BCX53

SURFACE MOUNT

PNP SILICON TRANSISTOR

Central

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51,

BCX52, and BCX53 types are PNP Silicon

Transistors manufactured by the epitaxial planar

process, epoxy molded in a surface mount

package, designed for high current general

purpose amplifier applications.

SOT-89 CASE

MAXIMUM RATINGS

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current

Base Current

Peak Base Current

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

IBM

TJ,Tstg

BCX51

BCX52

5.0

1.0

1.5

100

200

1.2

-65 to +150

104

BCX53

100

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

ICBO

VCB=30V

ICBO

VCB=30V, TA=125°C

IEBO

VEB=5.0V

BVCBO

IC=100µA (BCX51)

BVCBO

IC=100µA (BCX52)

BVCBO

IC=100µA (BCX53)

100

BVCEO

IC=10mA (BCX51)

BVCEO

IC=10mA (BCX52)

BVCEO

IC=10mA (BCX53)

VCE(SAT)

IC=500mA, IB=50mA

VBE(ON)

VCE=2.0V, IB=500mA

hFE

VCE=2.0V, IC=5.0mA

hFE

VCE=2.0V, IC=150mA

hFE

VCE=2.0V, IC=150mA

(BCX51-10, BCX52-10, BCX53-10)

hFE

VCE=2.0V, IC=150mA

(BCX51-16, BCX52-16, BCX53-16)

100

hFE

VCE=2.0V, IC=500mA

VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz

MAX

100

0.5

1.0

250

160

250

UNITS

µA

MHz

R1 ( 18-December 2001)

BCX51-10相似产品对比

	BCX51-10	BCX51-16
描述	pnp medium power transistors	pnp medium power transistors
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOT-89	SOT-89
包装说明	PLASTIC, SC-62, 3 PIN	PLASTIC, SC-62, 3 PIN
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	45 V	45 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	63	100
JEDEC-95代码	TO-243	TO-243
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	1 W	1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	50 MHz

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多