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BCX38BSTZ

产品描述达林顿晶体管 -
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小86KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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BCX38BSTZ概述

达林顿晶体管 -

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 1 – MARCH 94
FEATURES
* 60 Volt V
CEO
* Gain of 10K at I
C
=0.5 Amp
* P
tot
=1 Watt
BCX38A/B/C
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
80
60
10
2
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
UNIT
V
V
V
A
mA
W
°C
800
1
-55 to +200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-on Voltage
Static
Forward
Current
Transfer
Ratio
BCX38A
BCX38B
BCX38C
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(on)
h
FE
500
1000
2000
4000
5000
10000
3-20
MIN.
80
60
10
100
100
1.25
1.8
TYP.
MAX.
V
V
V
nA
nA
V
V
UNIT CONDITIONS.
I
C
=10
µ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=8V, I
C
=0
I
C
=800mA, I
B
=8mA*
I
C
=800mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*

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