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3SK143P: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINI PACKAGE-4; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小166KB，共3页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html

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3SK143P概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINI PACKAGE-4

3SK143P规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	LOW NOISE
配置	SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.03 A
最大漏极电流 (ID)	0.03 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
最小功率增益 (Gp)	13 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

3SK143P相似产品对比

	3SK143P	3SK143O	3SK143Q
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINI PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINI PACKAGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINI PACKAGE-4
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4	4	4
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.03 A	0.03 A	0.03 A
最大漏极电流 (ID)	0.03 A	0.03 A	0.03 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	4	4	4
工作模式	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W	0.2 W	0.2 W
最小功率增益 (Gp)	13 dB	13 dB	13 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1

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