IC ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20, Bus Driver/Transceiver
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | BROADSIDE VERSION OF 533 |
| 系列 | ACT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.51 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 14.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 12.5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 54ACT563DMQB | 54ACT563FMQB | |
|---|---|---|
| 描述 | IC ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20, Bus Driver/Transceiver | IC ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDFP20, CERAMIC, FP-20, Bus Driver/Transceiver |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-20 | CERAMIC, FP-20 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | BROADSIDE VERSION OF 533 | BROADSIDE VERSION OF 533 |
| 系列 | ACT | ACT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | R-GDFP-F20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A |
| 位数 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DFP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | FL20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 14.5 ns | 14.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 12.5 ns | 12.5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.286 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 6.35 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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