Thin Film RF/Microwave Capacitor; Capacitance:1pF; Capacitance Tolerance:+/- 0.05 pF; Working Voltage, DC:25V; Package/Case:0402; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Temp. Max:125 C; Operating Temp. Min:-55 C
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 145148197031 |
包装说明 | CHIP |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 16 weeks |
YTEOL | 6.5 |
电容 | 0.000001 µF |
电容器类型 | FILM CAPACITOR |
介电材料 | SILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE |
高度 | 0.4 mm |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 1 mm |
安装特点 | SURFACE MOUNT |
负容差 | 5% |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装形式 | SMT |
包装方法 | TR, 7 INCH |
正容差 | 5% |
额定(直流)电压(URdc) | 25 V |
尺寸代码 | 0402 |
表面贴装 | YES |
温度系数 | 30ppm/Cel ppm/°C |
端子面层 | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形状 | WRAPAROUND |
宽度 | 0.55 mm |
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