74ACT11010DR,74ACT11010DR pdf中文资料,74ACT11010DR引脚图,74ACT11010DR电路-Datasheet-电子工程世界

74ACT11010DR: 产品描述NAND Gate, ACT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, PDSO16, PLASTIC, SO-16; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小75KB，共5页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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74ACT11010DR概述

NAND Gate, ACT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, PDSO16, PLASTIC, SO-16

	74ACT11010DR	74ACT11010D	74ACT11010N
描述	NAND Gate, ACT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, PDSO16, PLASTIC, SO-16	NAND Gate, ACT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, PDSO16, PLASTIC, SO-16	NAND Gate, ACT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
包装说明	SOP,	SOP,	DIP,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
其他特性	CENTER PIN VCC AND GND	CENTER PIN VCC AND GND	CENTER PIN VCC AND GND
系列	ACT	ACT	ACT
JESD-30 代码	R-PDSO-G16	R-PDSO-G16	R-PDIP-T16
长度	9.9 mm	9.9 mm	19.305 mm
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
功能数量	3	3	3
输入次数	3	3	3
端子数量	16	16	16
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
传播延迟（tpd）	8.2 ns	8.2 ns	8.2 ns
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1

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