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TX-KV30S5

产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 15pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共2页
制造商Lockheed Martin
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TX-KV30S5概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 15pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt

TX-KV30S5规格参数

参数名称属性值
Objectid1431144302
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
最小二极管电容比2.5
标称二极管电容15 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.28 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压28 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
变容二极管分类ABRUPT
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