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NM43256AN12L

产品描述IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC
产品类别存储    存储   
文件大小221KB,共10页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

NM43256AN12L概述

IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC

NM43256AN12L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1435297079
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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