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5962-0520804VYC

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, 0.500 INCH, DFP-36
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文件大小314KB,共12页
制造商Atmel (Microchip)
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5962-0520804VYC概述

Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, 0.500 INCH, DFP-36

5962-0520804VYC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL36,.5
针数36
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDFP-F36
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DFP
封装等效代码FL36,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度3.05 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度12.195 mm
Base Number Matches1

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Features
Operating Voltage: 3.3V
Access Time:
– 15 ns
Very Low Power Consumption
– Active: 650 mW (Max) @ 15 ns, 540 mW (Max) @ 25 ns
– Standby: 3.3 mW (Typ)
Wide Temperature Range: -55 to +125°C
TTL-Compatible Inputs and Outputs
Asynchronous
Designed on 0.25 µm Radiation Hardened Process
No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm
2
@125°C
Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019
500 Mils Wide FP36 Package
ESD better than 4000V
Quality Grades:
– QML-Q or V
– ESCC
Rad Hard
512K x 8
Very Low Power
CMOS SRAM
AT60142H
Description
The AT60142H is a very low power CMOS static RAM organized as 524 288 x 8 bits.
Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low
consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked
systems.
Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT60142H combines an
extremely low standby supply current (Typical value = 1 mA) with a fast access time at
15 ns or better over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell
provides excellent protection against soft errors due to noise.
The AT60142H is processed according to the methods of the latest revision of the MIL
PRF 38535 or ESCC 9000.
It is produced on a radiation hardened 0.25 µm CMOS process.
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