SPST, 2 Func, 2 Channel, CMOS, CDIP16, CERDIP-16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 正常位置 | NO |
| 信道数量 | 2 |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 54 dB |
| 通态电阻匹配规范 | 8 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron) | 40 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5,+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长断开时间 | 200 ns |
| 最长接通时间 | 400 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IH5048AMJE/883B | IH5048MJE/883B | IH5050MJE/883B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | SPST, 2 Func, 2 Channel, CMOS, CDIP16, CERDIP-16 | SPST, 2 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16, CERDIP-16 | SPDT, 1 Func, 1 Channel, CMOS, CDIP16, CERDIP-16 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-16 | CERDIP-16 | CERDIP-16 |
| 针数 | 16 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST | SPST | SPDT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 信道数量 | 2 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 2 | 2 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 54 dB | 54 dB | 54 dB |
| 通态电阻匹配规范 | 8 Ω | 8 Ω | 8 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron) | 40 Ω | 40 Ω | 40 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 输出 | SEPARATE OUTPUT | SEPARATE OUTPUT | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 240 |
| 电源 | 5,+-15 V | 5,+-15 V | 5,+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | MIL-STD-883 Class B | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 最长断开时间 | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
| 最长接通时间 | 400 ns | 400 ns | 400 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | 20 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 正常位置 | NO | NO | - |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
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