电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

L061S473LFAP

产品描述Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.6W, 47000ohm, 100V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 6010,
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小61KB,共5页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

L061S473LFAP概述

Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.6W, 47000ohm, 100V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 6010,

L061S473LFAP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid913385899
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
构造Conformal Coated
元件功耗0.125 W
引线长度3.556 mm
引线间距2.54 mm
网络类型Bussed
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度4.95 mm
封装长度15.24 mm
封装形式SIP
封装宽度2.41 mm
包装方法Ammo Pack
额定功率耗散 (P)0.6 W
电阻47000 Ω
电阻器类型ARRAY/NETWORK RESISTOR
尺寸代码6010
技术METAL GLAZE/THICK FILM
温度系数100 ppm/°C
容差2%
工作电压100 V

文档预览

下载PDF文档
MODEL L SERIES
Thick Film
Low Profile SIP
Conformal Coated
Resistor Networks
RoHS Compliant
ELECTRICAL
Standard Resistance Range, Ohms
Standard Resistance Tolerance, at 25°C
Operating Temperature Range
Temperature Coefficient of Resistance
Temperature Coefficient of Resistance, Tracking
Maximum Operating Voltage
Insulation Resistance
ENVIRONMENTAL
22 to 1Meg
±2%
Optional: ±1% (F Tol.), ±5% (J Tol.)
-55°C to +125°C
±100ppm/°C (<100 Ohms = ±250ppm/°C)
±50ppm/°C
100Vdc or
√PR
≥10,000
Megohms
4
Thermal Shock plus Power Conditioning
Short Time Overload
Terminal Strength
Moisture Resistance
Mechanical Shock
Vibration
Low Temperature Storage
High Temperature Exposure
Load Life, 1,000 Hours
Resistance to Solder Heat (Per MIL-STD-202, Method 210, Cond.B)
Dielectric Withstanding Voltage
Marking Permanency
Lead Solderability
Flammability
Storage Temperature Range
Specifications subject to change without notice.
∆R
0.70%
∆R
0.25%
∆R
0.25%
∆R
0.50%
∆R
0.25%
∆R
0.25%
∆R
0.25%
∆R
0.50%
∆R
1.00%
∆R
0.25%
200V for 1 minute
MIL-STD 202, Method 215
MIL-STD 202, Method 208
UL-94V-O Rated
-55°C to +150°C
4-47
Model L Series
NIOS II 做的TFT2.4彩屏液晶显示
自己查找资料,做的可以显示图像,16x16和32x32汉字,ASCII值,图形字符,可以纵向,横向显示汉字,数字的NIOS II 彩屏显示,需要探讨的可加Q,948740977,欢迎共同讨论,互相提高...
陈远明 FPGA/CPLD
高压大功率变换器拓扑结构的演化及分析和比较
高压大功率变换器拓扑结构的演化及分析和比较 摘要:阐述了高压大功率变换器拓扑结构的发展,同时对它们进行了分析和比较,指出各自的优缺点,其中重点介绍了级联型拓扑结构并给出了仿真波形。 ......
zbz0529 模拟电子
请问:录音文件为何有暴音?
我的板子用wavrec.exe录出来的文件为何出现暴音啊,就打开文件后的第一声就是暴音,让人极其不爽,有人遇到这个问题么?...
jun2002 嵌入式系统
dsp 毕业设计
想请高手帮我做个dsp毕业设计,功能不要求多,价钱好商量。手机号:18810683527谢谢!!!...
sud DSP 与 ARM 处理器
ATT7022 用户手册
ATT7022 用户手册详细的为用户提供了很强大的说明书一本参考资料...
rain 嵌入式系统
中文DS12C887资料
很高兴和大家一起分享!!!!!!!!!!!...
rvnying 单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2219  1697  1550  369  488  45  35  32  8  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved