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EDI9F32256C35MNC-G

产品描述SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PSMA72,
产品类别存储    存储   
文件大小287KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI9F32256C35MNC-G概述

SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PSMA72,

EDI9F32256C35MNC-G规格参数

参数名称属性值
Objectid102617744
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PSMA-N72
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
端子数量72
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度17.272 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率1.28 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
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