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EDI8LM32257C25AI

产品描述Standard SRAM, 256KX32, 25ns, CMOS, PQCC68,
产品类别存储    存储   
文件大小234KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI8LM32257C25AI概述

Standard SRAM, 256KX32, 25ns, CMOS, PQCC68,

EDI8LM32257C25AI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid102617375
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度32
端子数量68
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.75 V
最大压摆率0.48 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD

 
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