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BZV55C11BSB-W

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共6页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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BZV55C11BSB-W概述

Zener Diode,

BZV55C11BSB-W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
二极管类型ZENER DIODE
JESD-609代码e3
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BZV55C-BS
SERIES
4.7V to 36V
SILICON PLANAR ZENER DIODE
FEATURES
* Zener Voltage Range 4.7 to 36 Volts
* LL-34 (Mini-MELF) Package
* Hermetically Sealed, Glass Silicon Diodes
SOD-80C
.059(1.50)
.056(1.42)
.112(0.30)
R.004(0.10)
.112(0.30)
.057(1.45)
.053(1.35)
.146(3.70)
.130(3.30)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGES
( @ T
A
= 25
o
C unless otherwise noted )
RATINGS
Average Forward Current (averaged Over any 20 ms period)
Repetitive Peak Forward Current
Total Power Dissipation up to T
flange
=50
O
C
Up to Ta=50
O
C and Mounted on a Ceramic Substrate of 10mm x 10
Ptot
mm x 0.6mm
Non-Reperitive Peak Reverse Power Dissipation t=100us,T
J
=150 C
Storage Temperature
Junction Temperature
THERMAL RESISTANCE
From Junction to tie-point(flanges)
Form Junction to Ambient when Mounted on a Ceramic Substrate of
Rth(j-a)
10mm x 10mm x 0.6mm
VD 2007-11
0.38
K/mW
Rth(j-tp)
0.30
K/mW
O
SYMBOL
IF(av)
IFRM
Ptot
VALUE
250
250
500
UNITS
mA
mA
mW
400
mW
P
ZSM
Tstg
T
J
30
-65 to +200
200
W
O
C
C
O
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