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HVM187STR-E

产品描述60V, SILICON, PIN DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共1页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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HVM187STR-E概述

60V, SILICON, PIN DIODE

HVM187STR-E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
应用ATTENUATOR
最小击穿电压60 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容2.4 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻5.5 Ω
二极管类型PIN DIODE
频带HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
Base Number Matches1
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