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PBF259

产品描述High Voltage Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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PBF259概述

High Voltage Transistors

PBF259规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性TELECOM TRANSISTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量3 pF
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.5 W
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
VCEsat-Max1 V

PBF259相似产品对比

PBF259 PBF259S
描述 High Voltage Transistors High Voltage Transistors
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknow unknow
其他特性 TELECOM TRANSISTOR TELECOM TRANSISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
基于收集器的最大容量 3 pF 3 pF
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 1.5 W 1.5 W
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 40 MHz
VCEsat-Max 1 V 1 V
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