电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

M55342M09B226DP

产品描述Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 226ohm, 200V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小102KB,共1页
制造商State of the Art Inc
下载文档 详细参数 全文预览

M55342M09B226DP概述

Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 226ohm, 200V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP

M55342M09B226DP规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1652017243
包装说明CHIP
Reach Compliance Codenot_compliant
Country Of OriginUSA
ECCN代码EAR99
YTEOL5.06
构造Chip
JESD-609代码e0
制造商序列号M55342/09
安装特点SURFACE MOUNT
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.84 mm
封装长度6.58 mm
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
封装宽度3.15 mm
包装方法TR; Waffle Pack
额定功率耗散 (P)1 W
额定温度70 °C
参考标准MIL-PRF-55342
电阻226 Ω
电阻器类型FIXED RESISTOR
系列M55342M09B(1%)
尺寸代码2512
表面贴装YES
技术METAL GLAZE/THICK FILM
温度系数300 ppm/°C
端子面层Tin/Lead (Sn60Pb40) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
容差1%
工作电压200 V

文档预览

下载PDF文档
State of the Art, Inc.
Thick Film Chip Resistor
M55342/09 RM2512
GLASS
PASSIVATION
WRAPAROUND
TERMINATIONS
RESISTOR
FILM
96% ALUMINA CHIP
PERFORMANCE
TEMPERATURE RISE (°C)
Resistance Range
Tolerances
Maximum Power
Maximum Voltage
1
W
- 22M
W
1%, 2%, 5%, 10%
1000 mW
200 Volts
CHARACTERISTICS*
M
K
±100
±0.5%
±0.25%
±0.25%
±0.25%
±0.5%
±0.5%
±0.5%
±300
±0.5%
±0.5%
±0.5%
±0.25%
±0.5%
±2.0%
±1.0%
CURRENT NOISE
POWER DISSIPATION
fiber epoxy board
ceramic board
TESTS
TCR (-55 to +125
°
C) in ppm/
°
C
Thermal Shock
Low Temperature Operation
Short-time Overload
Resistance to Soldering Heat
Moisture Resistance
Life, 2,000 Hours
High Temperature Exposure
POWER DISSIPATION (WATTS)
LIFE TEST
POWER DERATING
*Maximum allowable change per MIL-PRF-55342,
typical change is 10% of these values.
PART NUMBERING
M55342 K 09 B 100D S - TR
PACKAGING CODE: TR = Tape & Reel W= Waffle Pack
PRODUCT LEVEL DESIGNATOR: M: 1% per 1000 hrs. R: 0.01% P: 0.1% S: 0.001% T: Space Level C: Non - ER
RESISTANCE AND TOLERANCE CODE:
Three significant digits, with a letter indicating the
decimal location, the tolerance, and the value range.
D: 1%
W
E: 1% K
W
F: 1% M
W
G: 2%
W
H: 2% K
W
T: 2% M
W
J: 5%
W
K: 5% K
W
L: 5% M
W
M: 10%
W
N: 10% K
W
P: 10% M
W
TERMINATION MATERIALS:
B: Solderable wraparound C: Epoxy bondable palladium/silver wraparound U: Epoxy bondable platinum/gold wraparound
W: Gold wire bondable
G: Gold wraparound
SIZE CODE: /09 = RM2512
TEMPERATURE CHARACTERISTIC: K: ± 100ppm M: ± 300ppm
PERFORMANCE SPECIFICATION MIL-PRF-55342
MECHANICAL
INCHES
MILLIMETERS
.300
MINIMUM
RECOMMENDED
MOUNTING
PADS
(INCHES)
Length
Width
Thickness
Top Term
Bottom Term
Gap
Approx. Weight
.250 (.244 - .268)
.119 (.119 - .129)
.028 (.015 - .033)
.020 (.015 - .025)
.019 (.015 - .025)
.212 (.208 - .216)
.0513 grams
6.35
3.02
0.71
0.51
0.48
5.39
(6.20 - 6.81)
(3.02 - 3.28)
(0.38 - 0.84)
(0.38 - 0.64)
(0.38 - 0.64)
(5.28 - 5.49)
.125
.202
.049
State of the Art, Inc.
2470 Fox Hill Road, State College, PA 16803-1797
Phone (814) 355-8004 Fax (814) 355-2714 Toll Free 1-800-458-3401
“Specifications subject to change without notice.”
www.resistor.com
04/09/08
明枪易躲暗箭难防,djyos得罪谁了?
96970 这是QQ提示的,联系过腾讯并澄清了,腾讯也证实是被举报了。 djyos被攻击,不是第一次了,真不知道得罪谁了,还是妨碍了谁了。...
djyos 实时操作系统RTOS
如何编写并生成.eep格式文件
ICCAVR中如何编写并生成直接烧写到AVR中的EEP文件,请高手指点!...
cx128051653 Microchip MCU
用单片机实现PWM脉冲参数测量
260975 260976 ...
yjtyjt 单片机
求各位帮帮忙
不论我怎么做,有几个器件一直在最下边,看不到,,怎么设置都不出来,真的很烦 ...
曹伟1993 PCB设计
ARM片内RAM问题
我有块芯片是ARM9EJS的SOC,现在想问下,ARM9EJS是否有片内RAM,我怎么确认其是否可用?从NOR FLASH启动后在片内RAM中建立C环境,然后运行C代码方案是否可行,如果可行是否有什么需要注意的,比 ......
ji123yun ARM技术
三垦模块
系列功率模块资料30359...
sh-caideqing 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1618  1039  1286  1934  2742  33  21  26  39  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved