TMS47256-20FML概述

32KX8 MASK PROM, 200ns, PQCC32

TMS47256-20FML规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
长度	13.97 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm
最大压摆率	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	NMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

TMS47256-20FML相似产品对比

	TMS47256-20FML	TMS47256-25NL	TMS47256-25FML	TMS47256-30FML	TMS47256-30NL	TMS47256-20NL
描述	32KX8 MASK PROM, 200ns, PQCC32	32KX8 MASK PROM, 250ns, PDIP28	32KX8 MASK PROM, 250ns, PQCC32	32KX8 MASK PROM, 300ns, PQCC32	32KX8 MASK PROM, 300ns, PDIP28	32KX8 MASK PROM, 200ns, PDIP28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	250 ns	250 ns	300 ns	300 ns	200 ns
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28
长度	13.97 mm	36.32 mm	13.97 mm	13.97 mm	36.32 mm	36.32 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	28	32	32	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	DIP	QCCJ	QCCJ	DIP	DIP
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	LDCC32,.5X.6	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm	5.08 mm	3.56 mm	3.56 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大压摆率	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	YES	NO	NO
技术	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	11.43 mm	15.24 mm	11.43 mm	11.43 mm	15.24 mm	15.24 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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