电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

TBJA154M050LRLD0945

产品描述Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 0.15uF, Surface Mount, 1206, CHIP
产品类别无源元件    电容器   
文件大小47KB,共1页
制造商AVX
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

TBJA154M050LRLD0945概述

Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 0.15uF, Surface Mount, 1206, CHIP

TBJA154M050LRLD0945规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1693878676
包装说明, 1206
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL7.8
电容0.15 µF
电容器类型TANTALUM CAPACITOR
介电材料TANTALUM (DRY/SOLID)
JESD-609代码e4
制造商序列号TBJ
安装特点SURFACE MOUNT
负容差20%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
包装方法TR, 7 INCH
极性POLARIZED
正容差20%
额定(直流)电压(URdc)50 V
尺寸代码1206
表面贴装YES
端子面层Gold (Au)
端子形状J BEND

文档预览

下载PDF文档
TBJ Series
COTS-Plus
This series features:
• CWR11 form factor in Standard and Extended ratings.
• Low ESR Ratings (Cases A through E).
• Extended Case size (E) for ratings to 470 µF.
• Weibull Reliability Grading and Surge Test options.
All ratings in this series offer the advantages of molded body/compliant termination con-
struction, polarity, capacitance and voltage marking. The molded construction is com-
patible with a wide range of SMT board assembly processes including wave or reflow
solder, conductive epoxy or compression bonding techniques.
HOW TO ORDER
TBJ
Type
D
Case
Size
227
Capacitance
Code
pF code:
1st two digits
represent
significant
figures 3rd digit
represents
multiplier
(number of zeros
to follow)
*
Capacitance
Tolerance
M = ±20%
K = ±10%
J = ±5%
006
Voltage
Code
004 = 4Vdc
006 = 6Vdc
010 = 10Vdc
016 = 16Vdc
020 = 20Vdc
025 = 25Vdc
035 = 35Vdc
050 = 50Vdc
C
Standard or
Low ESR
Range
C = Std ESR
L = Low ESR
Packaging
B = Bulk
R = 7" T&R
S = 13" T&R
#@
Qualification/
Reliability
# = Inspection Level
S = Std. Conformance
L = Group A
@ = Failure Level
Weibull:
B = 0.1%/1000 hrs,
90% conf.
C = 0.01%/1000 hrs,
90% conf.
D = 0.001%/1000 hrs,
90% conf.
Comm: Z = Non ER
00
Termination
Finish
09 = Gold Plated
08 = Hot Solder
Dipped
07 = 100% Tin
00 = Solder Fused
++
Surge Test
Option
00 = None
23 = 10 cycles,
+25°C
24 = 10 cycles,
-55°C &
+85°C
45 = 10 cycles,
-55ºC &
+85ºC
before
Weibull
CAPACITANCE AND RATED VOLTAGE, V
R
(VOLTAGE CODE) RANGE
(LETTER DENOTES CASE SIZE) (ESR OPTIONS IN PARENTHESIS)
Capacitance
µF
Code
0.15
0.22
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
154
224
474
684
105
155
225
335
475
685
106
4
6
10
Rated voltage DC (V
R
) to 85ºC
16
20
25
35
50
A(8000)
A(6000)
A(5000)
A(4000)
A(5000)
A(4000)
A(1800, 3000)
A(1000, 3200)
B(600)
B(500, 700)
C(300)
A(5500)
A(3500 ,5000)
A(2000)
A(1500), B(1200)
A(3000), B(900)
A(6500)
A(3000)
A(1800, 4000)
B(1000)
B(1000)
B(500, 1000)
C(700)
B(500), C(450)
D(275)
B(600)
C(400)
D(275)
C(300)
D(100, 200)
D(100, 2000)
E(150)
D(70, 200)
3(125, 200)
V(60)
16
156
A(3500)
A(3000)
B(600)
A(3000)
B(600)
B(500, 800)
B(600)
C(175, 375)
B(500)
22
226
A(15000)
A(18000)
A(12000)
A(9500), B(9500)
A(10000)
A(8000)
A(7900)
A(8000)
A(7500)
A(6600), B(7000)
A(3000, 7500) A(7500), B(5200) C(2000), D(1500)
A(7000), B(2000)
B(2000)
D(1200)
B(2000)
B(1000)
D(800)
A(3100)
B(1500)
D(300)
B(700, 1500)
C(600)
3(300)
C(350), D(400)
B(700,2800)
D(300, 600)
E(300)
C(1600)
C(300, 500)
D(125, 300)
E(400)
E(250)
C(450)
D(275), E(200)
D(100, 300)
D(250), E(250)
E(250)
C(275, 400)
D(400)
D(100, 200)
D(125)
E(225)
E(125, 300)
D(100, 300)
E(100, 175)
D(175, 250)
V(95)
D(200, 300)
E(300)
E(250)
V(200)
33
47
68
100
150
220
330
470
1000
336
476
686
107
157
227
337
477
108
A(700)
C(100, 300)
B(425, 650)
D(250)
C(500)
C(200, 350)
C(110, 350)
C(300)
D(200)
D(80, 150)
B(500), C(200)
C(80, 300)
A(1500)
D(150)
D(175)
D(150), E(150)
C(75, 200)
D(50, 125)
A(1400), B(900)
C(75, 150)
D(50, 100), E(100)
E(100)
D(125), E(125) D(50, 100), E(100) D(60, 150) V(45)
D(50, 150)
D(50, 125), E(100)
V(50)
E(50, 100)
D(50, 150)
E(50, 150)
E(50, 100), V(40)
E(50, 200), V(40) E(50, 200), V(40)
E(200)
Released codes
(M tolerance only)
25
RF功率MOSFET产品及其工艺开发
中心论题: RF功率LDMOSFET性能特征RF功率LDMOSFET基本结构和制造工艺特点产品设计难点分析和解决方案器件的关键参数工艺难点和解决方案 解决方案: 设计了特殊栅结构和工艺制造流程P-阱和N+ ......
cscl 嵌入式系统
你眼中的TI DSP有多么的与众不同?
活动详情>>你眼中的TI DSP有多么的与众不同? 活动时间:即日起——7月28日 如何参与: 1、读专题 Dream DSP ,温故而知新 2、跟帖抢楼:聊聊你眼中的TI DSP,有多么与众不同 3、建 ......
EEWORLD社区 DSP 与 ARM 处理器
半桥驱动电路中NMOS驱动管的导通状态
用IR2103做半桥驱动电路,外接了两个NMOS驱动管,假设为T1和T2,请问T1和T2的具体工作状态是怎样的,同时导通还是处于交替导通的状态?...
费米 模拟电子
ARM MMU 理解(基于ARM 920T)
ARM MMU 理解(基于ARM 920T)MMU简介 嵌入式系统中,存储系统差别很大,可包含多种类型的存储器件,如FLASH,SRAM,SDRAM,ROM等,这些不同类型的存储器件速度和宽度等各不相同;在访问存 ......
18538579903 微控制器 MCU
avr挂不上gcc
编译任何文件都会出错下面为报错信息:Build started 7.7.2012 at 15:01:22avr-gcc -I"C:\WinAVR-20100110\avr\include\avr" -I"C:\WinAVR-20100110\mfile" -mmcu=atmega16 -Wall -gdwarf-2 -st ......
小牛314 Microchip MCU
关于MSp430ADC12IE的问题
ADC模拟输入的时候用P6.0 那中断控制寄存器ADC12IE 是0x01 若输入改为P6.1口 那ADC12IE用改为0x02吗? 为什么我改了以后1602显示屏上就显不出东西,只能用0x01? 读取通道存储寄存器ADC12MEMx ......
caoben 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1864  60  2912  594  2556  38  2  59  12  52 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved