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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MB814101-12LPSZ
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MB814101-12LPSZ

产品描述Nibble Mode DRAM, 4MX1, 120ns, CMOS, PZIP20
产品类别存储    存储   
文件大小1MB，共22页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB814101-12LPSZ概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 120ns, CMOS, PZIP20

MB814101-12LPSZ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101067167
零件包装代码ZIP
包装说明ZIP, ZIP20,.1
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PZIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP20,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.055 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG

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