Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 11 A |
最大漏源导通电阻 | 0.58 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | CECC |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 150 ns |
最大开启时间(吨) | 120 ns |
Base Number Matches | 1 |
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