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MSM514101BL-10TS-L

产品描述Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20
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文件大小727KB,共15页
制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd
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MSM514101BL-10TS-L概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20

MSM514101BL-10TS-L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1156939781
包装说明TSSOP, TSSOP20/26,.36
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP20/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
反向引出线YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
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