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摘要：介绍了一种内置混浊度传感器、电导传感器、温度传感器、A／D转换器、微处理器（μP）和单线Ｉ／Ｏ接口的智能混浊度传感器APMS-10G，详细阐述了其测量原理及使用注意事项。 关键词：混浊度；电导；温度；APMS-KIT.exe软件 混浊度（turbidity）亦称不透明度，主要用于表示水或其他液体的不透明程度。当单色光通过含有悬浮粒子的液体时，悬浮粒子引起的光散射会使单色光的强度被衰减...[详细]

传统的异步电动机控制系统中的测量装置较多采用光电数字脉冲编码器，而它在使用的过程中易受到干扰，降低了系统的可靠性，且不适用于恶劣的工况环境。针对以上缺点，本文提出了空间脉宽调制技术(SVPWM)的无速度传感器控制，利用现代的数字信号处理技术，使得复杂的磁链和转速控制得以实现。并基于DSPTMS320F2812实现了异步电机无速度传感器的矢量控制。 1空间脉宽调制原理 对异步电动机而言，加载到定子上...[详细]

在C语言中可以嵌入汇编语言，以发挥汇编语言在编程中的优点 方法是，在项目建好以后，加入建立的C文件，其他设置不变，先把 汇编语言写在 #pragma asm ...... ;汇编语言编写区 #pragma endasm 之间，同时还要对进行编译器相应汇编语言混编设置。 第一步： 第二步 第三...[详细]

宏达电近期虚拟实境(VR)业务拓展喜事频传，除与Google携手导入Daydream VR平台的移动硬件装置开发，预计最快在年底前就可将产品推出市场外，另宏达电也取得与苹果(Apple)的合作机会，其HTC Vive并被苹果当成推展VR技术与应用的前哨尖兵。而宏达电分别与两强携手，对此宏达电虚拟实境部门副总经理鲍永哲表示，除有利提高内容开发商投入VR产业发展的意愿，从而加速整体VR产业发展的普及...[详细]

   在4年的时间里，智能手机的屏幕分辨率从800x480一路飙升到了1080P，本以为1080P会hold住 挺长时间，短时间内手机屏幕分辨率应该不会有大的提升，但显然是我“图样图森破”。2013年12月18日晚，全球首款采用2560x1440分辨率屏幕 的vivoXplay3S在水立方发布，距离全球首款1080P的手机——HTCButterfly发布仅仅只有一年时间。自此，智能手机屏幕正式进入...[详细]

RISC-V作为新兴架构，以其精简的体量，或许在未来的IoT领域中能取得绝对优势。目前RISC-V还在发展初期，这股新兴力量的商业化仍在探索阶段，在王卫看来：“主要的挑战在于，CPU领域不是靠自己单打独斗，还需要更多生态环境的配合，包括编译器、工具链等，需要更多的伙伴参与生态的建设，RISC-V早期产生和发展都是在国外，发展节奏里，国际协作是非常关键的。 或者说，芯片设计、芯片架构的高壁垒行...[详细]

FIQ（Fast Interrupt Request） FIQ异常是为了支持数据传输或者通道处理而设计的。在ARM状态下，系统有足够的私有寄存器，从而可以避免对寄存器保存的需求，并减小了系统上下文切换的开销。 若将CPSR的F位置为1，则会禁止FIQ中断，若将CPSR的F位清零，处理器会在指令执行时检查FIQ的输入。注意只有在特权模式下才能改变F位的状态。 可由外部通过对处理器上的nFIQ引脚输...[详细]

Qorvo 推出用于相控阵雷达系统的先进电源解决方案 三芯片解决方案提供可配置的 GAN 偏置点自动校准 中国 北京，2023 年 2 月 9 日 —— 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc. 今天宣布推出一款用于相控阵雷达的紧凑型三芯片电源解决方案。该三芯片解决方案提供可配置的 GaN 偏置点自动校准，使工程师能够在不改变电路板设...[详细]

　　ARM微处理器具有体积小、低功耗、低成本、高性能的特点，基于ARM核的微控制器芯片不但占据了高端微控制器市场的大部分市场份额，同时也逐渐向低端微控制器应用领域扩展，ARM微控制器的低功耗、高性价比，向传统的8位/16位微控制器基。提出了挑战。ARM微处理器及技术应用到了许多不同的领域，如工业控制领域、无线电通讯领域、网譬络应用、消费类电子产品以及数字成象与安全产品当中，凭借其优点将来还会得到...[详细]

在DALLAS网站上下个英文版的datasheet,从第一行开始看，看着看着，感觉非常惊奇，不像我当初想当然的觉得那么难理解啊，除了个别单词不认识，整体上能看出大概意思，装了个金山词霸，不会的单词马上查，发现也不是很费劲的事儿。以前打开个英文的datasheet，看着密密麻麻的英语句子，看都没看就觉得头大，以前实在是太先入为主了，自己还是太浮躁，没有静下心来，认真的看一看。决定以后下芯片资料，...[详细]

罗茨流量计前应安装过滤器，两者表体上箭头指向与流动方向一致。 当被测液体含有气体时，流量计前应安装气体分离器。 不论管路是垂直还是水平安装，但流量计的腰轮轴安装成水平位置（即表度盘应与地面垂直）。 罗茨流量计安装前，管道需冲洗，冲洗时采用直管段（替代流量计位置）防止焊渣、杂物等进入流量计。 严禁用水校验铸铁、铸钢材质组成的流量计。 流量计在使用时流量大小不得超过技术要求，流量计正常工作在...[详细]

摘要： ● 凌华 科技通过 ISO 26262 认证，建立开发过程中所使用的安全相关功能以及流程、方法和工具所需要满足的要求，并确保在整个车辆生命周期内达到并保持足够的安全水平 ● 凌华 科技在全球已有许多自驾车应用成功案例 ● 携手策略伙伴软硬整合，提供自驾市场更完整的解决方案 全球领先的边缘计算解决方案提供商— 凌华 科技近日宣布已获得 ISO 26262 车辆功能安...[详细]

在本篇电源设计秘笈中，我们将讨论如何使用相同的级数最大化特定负载电流的电源效率。我们建议使用如下输出电流函数来计算电源损耗：     下一步是利用上述简单表达式，并将其放入效率方程式中：     这样，输出电流的效率就得到了优化(具体论证工作留给学生去完成)。这种优化可产生一个有趣的结果。 当输出电流等于如下表达式时，效率将会最大化。     需要注意的第一件事是，a1项对效率达到最大时的...[详细]

main.c #include reg52.h #include intrins.h #include string.h #include stdio.h #include stdlib.h #include LCD12864.h void main( void ) { Ini_Lcd(); Lcd_WriteStr(0,0, QQ1377128...[详细]

10 月 29 日消息，《韩国经济日报》表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。 三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。 报道表示三星第 10 代（即下代） V...[详细]