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BYV27-50-TAP

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BYV27-50-TAP概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon,

BYV27-50-TAP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.07 V
JESD-30 代码E-XALF-W2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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BYV27-50, BYV27-100, BYV27-150, BYV27-200
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Controlled avalanche characteristic
• Low forward voltage
• Ultra fast recovery time
• Glass passivated junction
• Hermetically sealed package
949539
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-57
Terminals:
plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 369 mg
• Material categorization:
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Very fast rectification diode e.g. for switch mode power
supply
ORDERING INFORMATION
(Example)
DEVICE NAME
BYV27-200
BYV27-200
ORDERING CODE
BYV27-200-TR
BYV27-200-TAP
TAPED UNITS
5000 per 10" tape and reel
5000 per ammopack
MINIMUM ORDER QUANTITY
25 000
25 000
PARTS TABLE
PART
BYV27-50
BYV27-100
BYV27-150
BYV27-200
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 50 V; I
F(AV)
= 2 A
V
R
= 100 V; I
F(AV)
= 2 A
V
R
= 150 V; I
F(AV)
= 2 A
V
R
= 200 V; I
F(AV)
= 2 A
PACKAGE
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
BYV27-50
BYV27-100
BYV27-150
BYV27-200
BYV27-50
BYV27-100
BYV27-150
BYV27-200
SYMBOL
V
RSM
V
RSM
V
RSM
V
RSM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
F(AV)
E
R
T
j
= T
stg
VALUE
55
110
165
220
50
100
150
200
50
15
2
20
- 55 to + 175
UNIT
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mJ
°C
Peak reverse voltage, non repetitive
See electrical characteristics
Reverse voltage = repetitive peak reverse
voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
Pulse energy in avalanche
mode, non repetitive (inductive
load switch off)
Junction and storage temperature range
See electrical characteristics
t
p
= 10 ms, half sine wave
I
(BR)R
= 1 A, T
j
= 175 °C
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Junction ambient
TEST CONDITION
l = 10 mm, T
L
= constant
On PC board with spacing 25 mm
SYMBOL
R
thJA
R
thJA
VALUE
45
100
UNIT
K/W
K/W
Rev. 1.8, 04-Sep-12
Document Number: 86042
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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