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GS1KWZT/R7

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GS1KWZT/R7概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN

GS1KWZT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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GS1AWZ SERIES
SURFACE MOUNT GENERAL PURPOSE RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Low Forward Drop
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• Glass Passivated Junction
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
MECHANICAL DATA
Case: SMA(W) molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12 mm tape (EIA-481)
Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a xi mum Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
M a xi mum RM S Vo lta g e
M a xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
M a xi mum A ve r a g e F o r wa rd C ur r e nt
P e a k F o rwa r d S ur g e C ur r e nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf
s i ne - wa ve s up e ri mp o s e d o n r a te d lo a d
( J E D E C me tho d )
M a xi mum F o r wa r d Vo lta g e a t 1 . 0 A D C
M a xi mum D C Re ve r s e C urr e nt a t T
J
=2 5
O
C
Ra t e d D C B lo c k i ng Vo lta g e T
J
=1 0 0
O
C
Typ i c a l J unc ti o n c a p a c i t a nc e ( No te 1 )
Typ i c a l J unc ti o n Re s i s ta nc e ( No te 2 )
Op e r a ti ng a nd S to r a g e Te mp e r a ture Ra ng e
S YMB OL
GS 1 AW Z GS 1 B WZ GS 1 D W Z GS 1 GW Z GS 1 J W Z GS 1 K W Z GS 1 MW Z
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1 .0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
30
A
1 .1
0 .5
10
12
30
- 5 5 to +1 5 0
O
V
I
R
μ
A
C
J
R
θ
JL
T
J
,T
S TG
pF
C / W
O
C
NOTES:1. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
2. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
June 1,2011-REV.02
PAGE . 1
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