N-channel enhancement mode field-effect transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 111 W |
| 表面贴装 | YES |
| PHD98N03LT | PHP98N03LT | PHB98N03LT | |
|---|---|---|---|
| 描述 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | N-channel enhancement mode field-effect transistor | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
| Reach Compliance Code | _compli | unknow | _compli |
| 配置 | Single | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A | 75 A | 75 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 111 W | 111 W | 111 W |
| 表面贴装 | YES | NO | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
| JESD-609代码 | - | e0 | e3 |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) |
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