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TTDM54ALS10AJ/883

产品描述NAND Gate, TTL, CDIP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小132KB,共2页
制造商Twilight Technology Inc
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TTDM54ALS10AJ/883概述

NAND Gate, TTL, CDIP14

TTDM54ALS10AJ/883规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Twilight Technology Inc
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-XDIP-T14
逻辑集成电路类型NAND GATE
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup16 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

TTDM54ALS10AJ/883相似产品对比

TTDM54ALS10AJ/883 TTDM54ALS10AJ
描述 NAND Gate, TTL, CDIP14 NAND Gate, TTL, CDIP14
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Twilight Technology Inc Twilight Technology Inc
Reach Compliance Code unknown unknown
JESD-30 代码 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 16 ns 16 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 TTL TTL
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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