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TC511000J-85

产品描述IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC
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文件大小803KB,共18页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC511000J-85概述

IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC

TC511000J-85规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101043112
包装说明SOJ, SOJ20/26,.34
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间85 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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